基因的大肠杆菌O157: H7参与高压电阻。

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马龙,钟YK,尤瑟夫AE

基因的大肠杆菌O157: H7参与高压电阻。

:环绕Microbiol。2006年4月,72 (4):2661 - 71。

PubMed ID
16597971 (在PubMed
]
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十七个大肠杆菌O157: H7菌株在超高压处理500 MPa和23 + / - 2度1分钟。这种治疗灭活0.6到3.4日志CFU /毫升,这取决于应变。证实了这些菌株的多样性pulsed-field凝胶电泳(但是脉冲场凝胶电泳的出现)分析,并没有明显的联系但是脉冲场凝胶电泳的出现条带模式和压力阻力。耐压株大肠杆菌O157: H7 ec - 88(0.6日志减少)和压敏应变写明ATCC 35150(3.4日志减少)治疗亚致死的压力(100 MPa 15分钟在23 + / - 2度)和受到DNA微阵列分析使用一个大肠杆菌k - 12反义基因芯片。高压影响了许多基因参与了多种细胞内转录机制的ec - 88,包括压力反应,thiol-disulfide氧化还原系统,集群Fe-S大会,和自发突变。24同基因的大肠杆菌对突变基因受压力治疗是治疗致命的压力在400 MPa和23 + / - 2度为5分钟。barotolerance的突变体相对于野生型菌株有助于解释通过DNA微阵列分析获得的结果。这项研究是第一个报道证明Fe-S集群组装蛋白质的表达和延胡索酸盐硝酸还原酶监管机构降低了抵抗压力,而σ因子(RpoE)、脂蛋白(NlpI),硫氧还蛋白(TrxA),硫氧还蛋白还原酶(TrxB),海藻糖合成蛋白质(OtsA)和dna结合蛋白(Dps)促进barotolerance。

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多肽
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脂蛋白NlpI P0AFB1 细节